宽禁带半导体实验室，顾律三人穿着深棕色的实验服，在张主任的带领下走进去。
实验室的面积很大。
将近有半个篮球场的大小。
一眼望去，可以看到实验室内数位研究员在各台仪器前紧张的忙碌着。
“主任好。”
“主任好。”
几位年轻的研究员助理见到张主任进来，客气的打招呼。
张主任点点头，然后摆摆手，“你们接着忙，接着忙。”
“我们先去mocvd那边吧。”张主任压低声音，询问顾律。
顾律点头一笑。
张主任带着顾律来到一台一个高的长方形设备面前。
“这个就是我们实验室的mocvd了！”张主任拍拍设备外面的铁壳，笑着为顾律介绍。
顾律上下打量了这台设备一番。
所谓的mocvd，是在气相外延生长的基础上发展起来的一种新型气相外延生长技术。
该设备以3族、2族元素的有机化合物和v、6族元素的氢化物等作为晶体生长源材料，以热分解反应方式在衬底上进行气相外延，生长各种3-v主族、2-6副族化合物半导体以及它们的多元固溶体的薄层单晶材料。
内容未完，下一页继续阅读