这种捡了芝麻丢西瓜的事，显然不是改良石墨烯半导体材料性能的初衷。
但是……
净核自旋现象的的确确会影响石墨烯半导体可容纳的量子比特数目。
这就变成了一个很矛盾的问题。
消除净核自旋现象吧，石墨烯半导体的优良导电性将不复存在。
但不消除的话，可容纳的量子比特数目又被死死的限制住。
郭院士团队在针对这个问题时，想到的一种理论上可行的解决方案。
那就是不完全消除石墨烯内部原子核的净核自旋现场，仅消除其中的一部分。
这让既保证了石墨烯自身的优良导电性，有增加了可容纳量子比特的数目。
但理想很丰满，现实很骨感。
顾律面前的这十一份失败的实验记录便是证据。
这个方案虽然在理论上可行。
但难就难在，需要在这两者之间找到一个恰到好处的平衡点。
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